參數(shù)資料
型號: PZTA96ST1
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: High Voltage Transistor PNP Silicon(PNP型高壓晶體管)
中文描述: 0.5 A, 450 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-261AA
封裝: PLASTIC, CASE 318E-04, 4 PIN
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大?。?/td> 44K
代理商: PZTA96ST1
PZTA96ST1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Note 2)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage
(I
C
= 1.0 mAdc, I
B
= 0)
V
(BR)CEO
450
Vdc
CollectorEmitter Breakdown Voltage
(I
C
= 100 Adc, I
E
= 0)
V
(BR)CBO
450
Vdc
EmitterBase Breakdown Voltage
(I
E
= 10 Adc, I
C
= 0)
V
(BR)EBO
5.0
Vdc
CollectorBase Cutoff Current
(V
CB
= 400 Vdc, I
E
= 0)
I
CBO
0.1
Adc
EmitterBase Cutoff Current
(V
BE
= 4.0 Vdc, I
C
= 0)
I
EBO
0.1
Adc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain (Note 3)
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 10 Vdc)
h
FE
50
150
Saturation Voltages
(I
C
= 20 mAdc, I
B
= 2.0 mAdc)
(I
C
= 20 mAdc, I
B
= 2.0 mAdc)
2. T
A
= 25
°
C unless otherwise noted.
3. Pulse Test: Pulse Width
300 s; Duty Cycle = 2.0%.
V
CE(sat)
V
BE(sat)
0.6
1.0
Vdc
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S07J HEX BUFFERS/DRIVERS WITH OPEN-COLLECTOR HIGH-VOLTAGE OUTPUTS
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S153P Silicon PIN Photodiode(反向電壓50V的高速高靈敏度PIN光二極管)
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參數(shù)描述
PZTA96ST1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XTR PNP 400V SOT223 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PZTA96T3 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
PZTM1101 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述:
PZTM1101,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS/SCHOTTKY MODULE TAPE-13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PZTM1101T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-223