參數(shù)資料
型號： PZTA56
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP general purpose transistor
中文描述： 0.5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-4
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 123K
代理商： PZTA56
M
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Typical Characteristics
(continued)
Base Emitter ON Voltage vs
Collector Current
P 3
0.1
1
10
100
1000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
B
V = 1V
- 40 oC
125 °C
25 °C
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P 3
10
100
1000
0.4
0.6
0.8
1
1.2
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
B
β
= 10
- 40 oC
125 °C
25 °C
Collector-Cutoff Current
vs. Ambient Temperature
25
50
75
100
125
0.001
0.01
0.1
1
10
T - AMBIENT TEMPERATURE (o
I
C
V = 60Vz
Collector Saturation Region
3000
5000
10000
20000
30000
50000
0
2
4
6
8
10
I - BASE CURRENT (uA)
V
C
10 mA
100 mA
1 mA
TA
I =
Input and Output Capacitance
vs Reverse Voltage
0.1
1
10
100
100
V - COLLECTOR VOLTAGE(V)
C
C
f = 1.0 MHz
ib
C
ob
Gain Bandwidth Product
vs Collector Current
P
3
1
10
20
50
100
0
10
20
30
40
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
f
T
V = 5V
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