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參數(shù)資料
| 型號： | PZTA28 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Circular Connector; No. of Contacts:8; Series:; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:12; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Insert Arrangement:12-8 |
| 中文描述： | 800 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 122K |
| 代理商： | PZTA28 |
M
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cutoff Current
I
CES
Collector Cutoff Current
I
EBO
Emitter Cutoff Current
I
C
= 100
μ
A, V
BE
= 0
I
C
= 100
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 60 V, I
E
= 0
V
CE
= 60 V, V
BE
= 0
V
EB
= 10 V, I
C
= 0
80
80
12
V
V
V
nA
nA
nA
100
500
100
ON CHARACTERISTICS
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 10 mA, V
CE
= 5.0 V
I
C
= 100 mA, V
CE
= 5.0 V
I
C
= 10 mA, I
B
= 0.01 mA
I
C
= 100 mA, I
B
= 0.1 mA
I
C
= 100 mA, V
CE
= 5.0 V
10,000
10,000
V
CE(
sat
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.2
1.5
2.0
V
V
BE(
on
)
Base-Emitter On Voltage
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
f
T
Current Gain - Bandwidth Product
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
I
= 10 mA, V
CE
= 5.0,
f = 100 MHz
V
CB
= 1.0 V, I
E
= 0, f = 1.0 MHz
125
MHz
C
obo
Output Capacitance
8.0
pF
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
NPN Darlington Transistor
(continued)
Typical Characteristics
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
P 03
0
0.01
0.1
0.2
20
40
60
80
100
I - COLLECTOR CURRENT (A)
h
F
25 °C
125 °C
- 40 °C
V = 5V
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P 03
1
10
100
1000
0
0.4
0.8
1.2
1.6
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
C
- 40 oC
125 oC
β
= 1000
25 oC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PZTA29 | Applications requiring extremely high current gain at collector currents to 500mA |
| 204-10USOC | 3.0mm Round Type LED Lamps |
| 20H04 | 4-PORT USB2.0 HUB CONTROLLER |
| 20N60BD1 | HiPerFAST IGBT with Diode |
| 20N60B | HiPerFAST IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PZTA29 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| PZTA29_F081 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 100V BIP NPN DARLINGTON SOT223 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| PZTA42 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PZTA42 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PZTA42,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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