參數(shù)資料
型號： PZT3904
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR
中文描述： 小信號NPN晶體管
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 48K
代理商： PZT3904
PZT3904
1
Nov-30-2001
NPN Silicon Switching Transistor
High DC current gain: 0.1mA to 100mA
Low collector-emitter saturation voltage
Complementary type: PZT3906 (PNP)
VPS05163
1
2
3
4
Type
PZT3904
Marking
ZT 3904
Pin Configuration
2 = C
Package
SOT223
1 = B
3 = E
4 = C
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
DC collector current
Symbol
Value
40
60
6
200
1.5
150
-65 ... 150
Unit
V
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
T
stg
mA
W
°C
Total power dissipation
,
T
S
= 72 °C
Junction temperature
Storage temperature
Thermal Resistance
Junction - soldering point
1)
R
thJS
52
K/W
1For calculation of
R
thJA
please refer to Application Note Thermal Resistance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PZT3906 PNP Silicon Switching Transistor
PZT3906 SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR
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PZTA93 PNP Silicon High-Voltage Transistors
R1111N501A GSMKDS 3/ 2
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參數(shù)描述
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PZT3904,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW TAPE-13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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PZT3904_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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