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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PUMF12 |
| 英文描述： | 15NS, TSSOP, COM TEMP(EPLD) |
| 中文描述： | 15NS, TSSOP, COM TEMP(EPLD) |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 55K |
| 代理商： | PUMF12 |
2002 Nov 07
4
Philips Semiconductors
Product specification
PNP general purpose transistor;
NPN resistor-equipped transistor
PUMF12
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
TR1 (PNP)
I
CBO
collector cut-off current
V
CB
=
30 V; I
E
= 0
V
CB
=
30 V; I
E
= 0; T
j
= 150
°
C
V
EB
=
4 V; I
C
= 0
I
C
=
50 mA; I
B
=
5 mA; note 1
V
CE
=
6 V; I
C
=
1 mA
V
CB
=
12 V; I
E
= i
e
= 0; f = 1 MHz
V
CE
=
12 V; I
C
=
2 mA; f = 100 MHz 100
120
100
10
100
200
2.2
nA
μ
A
nA
mV
I
EBO
V
CEsat
h
FE
C
c
f
T
TR2 (NPN)
emitter cut-off current
saturation voltage
DC current gain
collector capacitance
transition frequency
pF
MHz
I
CBO
I
CEO
collector-base cut-off current
collector-emitter cut-off current
V
CB
= 50 V; I
E
= 0
V
CE
= 30 V; I
B
= 0
V
CE
= 30 V; I
B
= 0; T
j
= 150
°
C
V
EB
= 5 V; I
C
= 0
V
CE
= 5 V; I
C
= 5 mA
I
C
= 10 mA; I
B
= 0.5 mA
V
CE
= 5 V; I
C
= 100
μ
A
V
CE
= 0.3 V; I
C
= 2 mA
80
2
15.4
1.7
0.9
1.1
22
2.1
100
1
50
120
150
0.5
28.6
2.6
nA
μ
A
μ
A
μ
A
I
EBO
h
FE
V
CEsat
V
i(off)
V
i(on)
R1
emitter-base cut-off current
DC current gain
saturation voltage
input off voltage
input on voltage
input resistor
resistor ratio
mV
V
V
k
C
c
collector capacitance
V
CB
= 10 V; I
E
= i
e
= 0; f = 1 MHz
2.5
pF
R1
R2
APPLICATION INFORMATION
handbook, halfpage
RBE(ext)
RB(ext)
R2
R1
1
2
3
4
MHC322
6
5
Fig.2 Typical power management circuit.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PUR43XD | HAND CLEANER DEB PURE 2 LTR |
| PUSB3B | STEERING DIODE / TVS ARRAY COMBO |
| PUSB6B | STEERING DIODE / TVS ARRAY COMBO |
| PV-10P-3FRAME | MONTAGESCHIENE 4 SCHALTER |
| PV-10P-5FRAME | MONTAGESCHIENE 6 SCHALTER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PUMF12 T/R | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PUMF12,115 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PUMF12115 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| PUMH1 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR DIGITAL DUAL SOT-363 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, DIGITAL, DUAL, SOT-363 |
| PUMH1 T/R | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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