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參數(shù)資料
| 型號： | PUB4753(PU7457) |
| 英文描述： | PUB4753 (PU7457) - N-Channel Power F-MOS FET (with built-in zener diode) |
| 中文描述： | PUB4753（PU7457） - N溝道功率的F -場效應(yīng)晶體管（內(nèi)置穩(wěn)壓二極管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 90K |
| 代理商： | PUB4753(PU7457) |
226
Power Transistor Arrays (F-MOS FETs)
PUB4753
Area of safe operation (ASO)
P
D
Ta
EAS
T
j
IAS
L-load
I
D
V
GS
V
th
T
C
I
D
V
DS
R
DS(on)
I
D
| Y
fs
|
I
D
0
4.0
1.0
3.0
2.0
3.5
0.5
2.5
1.5
0
5
4
3
2
1
V
DS
=10V
T
C
=25C
Drain current I
D
(A)
F
f
|
1
Drain to source voltage V
DS
(V)
10
100
1000
3
30
300
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Non repetitive pulse
T
C
=25
C
I
DP
t=100
μ
s
1ms
10ms
100ms
I
D
DC
D
D
25
150
125
50
100
75
0
25
20
15
10
5
I
D
=3A
Junction temperature T
j
(
C)
A
1
3
10
30
100
0.01
10
1
0.1
0.03
0.3
3
I
D
T
C
=25
C
22.5mJ
L-load (mH)
A
0
Drain to source voltage V
DS
(V)
60
50
40
10
30
20
0
8
6
2
5
7
4
1
3
4V
3.5V
3V
2.5V
15W
V
GS
=10V
D
D
0
Gate to source voltage V
GS
(V)
6
5
4
1
3
2
0
8
6
2
5
7
4
1
3
V
DS
=10V
T
C
=25
C
D
D
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
24
20
16
12
8
4
(1) T
=Ta
(2) With a 50
×
50
×
2mm
Al heat sink
(3) Without heat sink
(1)
(2)
(3)
Ambient temperature Ta (
C)
A
D
0
4.0
1.0
3.0
2.0
3.5
0.5
2.5
1.5
0
600
500
400
300
200
100
T
C
=25
C
10V
V
GS
=4V
Drain current I
D
(A)
D
D
)
0
150
125
100
25
75
50
0
6
5
4
3
2
1
V
DS
=10V
I
D
=1mA
Case temperature T
C
(
C)
G
t
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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