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參數(shù)資料
| 型號： | PTF10154 |
| 廠商： | ERICSSON |
| 英文描述： | 85 Watts, 1.93-1.99 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 85瓦，1.93-1.99 GHz的GOLDMOS場效應晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 256K |
| 代理商： | PTF10154 |
1
PTF 10154
85 Watts, 1.93–1.99 GHz
GOLDMOS
Field Effect Transistor
Package 20248
0
20
40
60
80
100
0
3
6
9
12
15
Input Power (Watts)
P
0
10
20
30
40
50
E
x
V
DD
= 28 V
I
DQ
= 1.15 A
f = 1990 MHz
Typical Power Output and Efficiency
vs. Input Power
Power Output
Efficiency
Description
The PTF 10154 is an internally matched 85–watt
GOLDMOS
FET
intended for CDMA and TDMA applications from 1.93 to 1.99 GHz.
This device operates at 43% efficiency with 11 dB gain. Nitride surface
passivation and full gold metallization ensure excellent device life-
time and reliability.
INTERNALLY MATCHED
Guaranteed Performance at 1.93, 1.99 GHz,
28 V
- Output Power = 85 Watts Min
- Power Gain = 11 dB Typ
Full Gold Metallization
Silicon Nitride Passivated
Back Side Common Source
Excellent Thermal Stability
100% Lot Traceability
RF Specifications
(100% Tested)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Gain
(V
DD
= 28 V, P
OUT
= 10 W, I
DQ
= 1.15 A, f = 1.96, 1.99 GHz)
Power Output at 1 dB Compression
(V
DD
= 28 V, I
DQ
= 1.15 A, f = 1.99 GHz)
Drain Efficiency
(V
DD
= 28 V, P
OUT
= 90 W, I
DQ
= 1.15 A, f = 1.99 GHz)
Load Mismatch Tolerance
(V
DD
= 28 V, P
OUT
= 90 W, I
DQ
= 1.15 A, f = 1.99 GHz
—all phase angles at frequency of test)
G
ps
10.0
11
—
dB
P-1dB
85
—
—
Watts
D
—
43
—
%
—
—
10:1
—
All published data at T
CASE
= 25°C unless otherwise indicated.
A-1234560035
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PTF10160 | 85 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
| PTF10161 | 165 Watts, 869-894 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
| PTF10162 | 18 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
| PTF10193 | 12 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS⑩ Field Effect Transistor |
| PTF10195 | 125 Watts, 869-894 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PTF10157 | 功能描述:射頻放大器 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| PTF10160 | 功能描述:射頻放大器 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| PTF10161 | 制造商:ERICSSON 制造商全稱:Ericsson 功能描述:165 Watts, 869-894 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
| PTF10162 | 功能描述:射頻放大器 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| PTF10193 | 功能描述:射頻放大器 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
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