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參數(shù)資料
| 型號： | PT480E00000F |
| 廠商： | SHARP ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | 光敏三極管 |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 541K |
| 代理商： | PT480E00000F |
Sheet No.: D1-A01901EN
3
PT480E00000F
■ Absolute Maximum Ratings
*1 5 s (MAX.) positioned 1/4 mm from resin edge. see Figure 13
■ Electro-optical Charactertistics
*1 Ee: Irradiance by CIE standard light source A (tungsten lamp)
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
VCEO
35
V
Emitter-collector voltage
VECO
6V
Collector current
IC
20
mA
Collector power dissipation
PC
75
mW
Operating temperature
Topr
-25 to +85
°C
Storage temperature
Tstg
-40 to +85
°C
Soldering temperature *1
Tsol
260
°C
Parameter
Symbol
Conditions *1
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector current
IC
Ee = 1 mW/cm2, VCE = 5 V
0.4
1.7
6.0
mA
Dark current
ICEO
Ee = 0, VCE = 20 V
–
1.0
100
nA
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat)
Ee = 10 mW/cm2, IC = 0.5 mA
–
0.1
0.4
V
Collector-emitter breakdown voltage
BVCEO
IC = 0.1 mA, Ee = 0
35
–
V
Emitter-collector breakdown voltage
BVECO
IE = 0.01 mA, Ee = 0
6.0
–
V
Peak sensitivity wavelength
λp
–
800
–
nm
Response time (Rise)
tr
VCE = 2 V, IC = 2 mA,
RL = 100
Ω
–3.0
–
s
Response time (Fall)
tf
–
3.5
–
s
Fig. 1 Collector Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
80
70
75
60
50
40
30
20
15
10
0
-25
0
25
Ambient temperature Ta (°C)
Collector
po
w
er
dissipation
Pc
(m
W
)
50
75 85100
Fig. 2 Spectral Sensitivity
100
90
80
70
Ta = 25°C
60
50
40
30
20
10
0
400
500
600
700
wavelength
λ (nm)
800
900
1,000 1,100
Relati
v
e
sensiti
v
ity
(%)
(Ta = 25°C)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PT493FE0000F | |
| PT501A | |
| PT501 | |
| PT550 | |
| PT550F | |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| PT480FE0000F | 功能描述:光電晶體管 PT480 w/ Visible lite cut-off 860nm RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| PT480FE000F5 | 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述:Opto,Photo tr.,860nm,+/-13deg.side view |
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