參數(shù)資料
型號： PT4800
廠商： Sharp Corporation
英文描述： Thin Type Phototransistor
中文描述： 薄型光電晶體管
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 78K
代理商： PT4800
PT4800/PT4800F/PT4810/PT4810F/PT4850F
I
Electro-optical Characteristics
*2 E
e
: Irradiance by CIE standard light source A (tungsten lamp)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
0.12
0.08
0.12
0.45
0.27
TYP.
0.4
0.25
-
-
-
MAX.
1.0
0.75
0.56
7.0
6.0
Unit
mA
mA
mA
mA
mA
*2
Collector current
PT4800
PT4800F
PT4850F
PT4810
PT4810F
PT4800/PT4800F
PT4850F
PT4810/PT4810F
PT4800/PT4800F
PT4850F
I
C
E
e
= 1mW/cm
2
V
CE
= 5V
E
e
= 0.1mW/cm
2
V
CE
= 2V
Collector dark current
I
CEO
E
e
= 0, V
CE
= 20V
-
-
0.1
m A
E
e
= 0, V
CE
= 10V
E
e
=10mW/cm
2
I
C
=0.5mA
E
e
= 1mW/cm
2
I
C
= 2.5mA
I
C
= 0.1mA
E
e
= 0
I
E
= 0.01mA
E
e
= 0
-
-
1.0
m A
voltage
V
CE
(sat)
-
-
0.4
V
PT4810/PT4810F
-
-
1.0
V
Collector-emitter breakdown voltage
BV
CEO
35
-
-
V
Emitter-collector breakdown voltage
BV
ECO
6
-
-
V
Peak sensitivity
wavelength
PT4800
PT4800F
PT4850F
PT4810
PT4810F
PT4800/PT4800F
PT4850F
λ
p
-
-
-
-
-
800
860
860
800
860
-
-
-
-
-
nm
nm
nm
nm
nm
-
t
r
V
CE
= 2V, I
C
= 2mA
R
L
=100
V
CE
= 2V
I
C
=10mA
R
L
=100
V
CE
= 2V, I
C
= 2mA
R
L
= 100
V
CE
= 2V
I
C
= 10mA
R
L
=100
-
3.0
-
μ
s
-
80
400
μ
s
t
f
-
3.5
-
μ
s
-
70
350
μ
s
Half intensity angle
θ
-
-
± 35
-
PT4810/PT4810F
PT4800/PT4800F
PT4850F
PT4810/PT4810F
*2
Collector-emitter saturation
(Ta = 25C)
- 25
0
25
50
75
100
0
20
40
60
80
100
85
0
25
Ambient temperature T
a
(C)
50
75
100
2
5
2
5
2
5
2
5
C
C
Ambient temperature T
a
(C)
Fig. 1 Collector Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
C
C
(PT4800/PT4800F/PT4850F)
Response
time
Rise time
Fall time
Fig. 2-a Collector Dark Current vs.
Ambient Temperature
V
CE
= 20V
10
-6
10
-7
10
-8
10
-9
10
-10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PT4800F Thin Type Phototransistor
PT4810F Thin Type Phototransistor
PT4850F Thin Type Phototransistor
PT481 Narrow Acceptance High Sensitivity Phototransistor
PT483F1 Narrow Acceptance High Sensitivity Phototransistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PT4800E0000F 功能描述:光電晶體管 800nm 1.0mA RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1
PT4800F 功能描述:PHOTO TRANS BLACK LEN 860NM SIDE RoHS:否 類別:傳感器，轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光電檢測器 - 光電晶體管 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,200 系列:- 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1mA 電流 - 暗 (Id)（最大）:100nA 波長:880nm 視角:24° 功率 - 最大:100mW 安裝類型:通孔 方向:頂視圖 封裝/外殼:徑向
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PT4800FBE00F 功能描述:光電晶體管 PT4800F with Ic bin 0.15-0.38mA RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1
PT4800FE000F 功能描述:光電晶體管 BLACK LENS 860NM RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1
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