參數(shù)資料
型號: PT308F_B
英文描述: 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package; A IRFU4105 with Standard Packaging
中文描述: PT308F_B V1.5的數(shù)據(jù)資料|文件-數(shù)據(jù)表? - ?電機(jī)驅(qū)動器
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代理商: PT308F_B
-2-
PT-3085-C
Date:Feb. 2002
Ver.1.5
Electrical Characteristics
Characteristic
Symbol Test Condition
Min. Typ. Max. Units
Supply Voltage
V
DD
3
18
V
Output Sink
Voltage
V
DS(ON)
R
L
=30@12V
0.6
0.66 0.88
V
Output Breakdown
Voltage
V
BV(ON)
18
22
30
V
Supply Current
I
DD
Output open@12V
10
mA
Driving Current
I
O
R
L
=25@12V
(V
DS(ON)
=0.
8V)
435
440
450
mA
R
L
=30@12V
370
378
380
mA
R
L
=40@12V
283
287
288
mA
R
L
=50@12V
230
231
232
mA
R
L
=100@12V
117
118
118
mA
R
L
=200@12V
59.4 59.5 59.6
mA
RD flow-in Current
I
RD
Pull-high resistor is
470ohm@12V
25
mA
RD Supply
Voltage
18
V
Hin Input Voltage
High
V
DD
-1.2
V
DD
V
Low
GND
0.3
V
Hin Input Current
I
IN
Hin=12V
85
uA
R
L
: DC impedance of inductor
Truth Table
Hin
O1
O2
H
GND
VDD
L
VDD
GND
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PDF描述
PT308 DIODE MODULE 30A/800V/1000V
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