型號: | PSMN7R6-60PS |
元件分類: | 開關(guān) |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件頁數(shù): | 4/7頁 |
文件大?。?/td> | 525K |
代理商: | PSMN7R6-60PS |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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PSMN8R0-30YL | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
PSMN8R0-30YLC | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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PSMN7R6-60PS,127 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V STD LEVEL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
PSMN7R6-60PS127 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
PSMN7R6-60XSQ | 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):51.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.8 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):38.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2651pF @ 30V 功率 - 最大值:46W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 全封裝,隔離接片 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
PSMN7R8-100PSEQ | 功能描述:MOSFET N-CH 100V SIL3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Tj) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):128nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):7110pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):294W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.8 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
PSMN7R8-120ESQ | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PSMN7R8-120ES/I2PAK/RAILH// - Rail/Tube 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CH 120V I2PAK |