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參數(shù)資料
| 型號： | PSMN5R6-100PS |
| 元件分類： | 開關 |
| 英文描述： | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 525K |
| 代理商： | PSMN5R6-100PS |
APEM
www.apem.com
A-83
12000X778 series
High performance toggle switches - threaded bushing 11,9 (15/32)
Positions and connections
A
FUNCTION
12146
12147
12148
12149
12148CT
12145
12144
12144-1R
12144-2R
12156
12166
12164
TERMINAL
IDENTIFICATION
WIRING FOR 3-WAY SWITCHES
(FUNCTION 4)
LEVER POSITION AND CONNECTIONS
I
II
III (Flat)
ON
-
ON
(1-3)-4
(1-3)-2
(5-7)-8
(5-7)-6
MOM
OFF
MOM
ON
OFF
MOM
ON
OFF
ON
MOM
OFF
ON
1-2
1-3
4-5
4-6
-
ON
MOM
1-2
1-3
4-5
4-6
ON
MOM
ON
MOM
ON
MOM
1-2
1-3
4-5
4-6
ON
-
ON
(1-3)-4
(1-3)-2
(5-7)-8
(5-7)-6
(9-11)-12
(9-11)-10
ON
-
ON
1A - 3A
1A - 2A
1C - 3C
1C - 2C
1E - 3E
1E - 2E
1G - 3G
1G - 2G
ON
1A - 2A
1A - 3A
1C - 2C
1C - 3C
1E - 2E
1E - 3E
1G - 2G
1G - 3G
External jumper (added by customer)
12164
12144
12144-1R
12144-2R
Flat
A
2
1
33
1
2
4
3-1
210
9-11
12
3
1
25
4
6
7-5
8
4
3-1
2
CE
G
A
2
1
33
1
2
4
3-1
210
9-11
12
3
1
25
4
6
7-5
8
4
3-1
2
A
2
1
33
1
2
4
3-1
210
9-11
12
3
1
25
4
6
7-5
8
4
3-1
2
CE
G
A
2
1
33
1
2
4
3-1
210
9-11
12
3
1
25
4
6
7-5
8
4
3-1
2
A
2
1
33
1
2
4
3-1
210
9-11
12
3
1
25
4
6
7-5
8
4
3-1
2
CE
G
A
2
1
33
1
2
4
3-1
210
9-11
12
3
1
25
4
6
7-5
8
4
3-1
2
A
2
1
33
1
2
4
3-1
210
9-11
12
3
1
25
4
6
7-5
8
4
3-1
2
CE
G
A
2
1
33
1
2
4
3-1
210
9-11
12
3
1
25
4
6
7-5
8
4
3-1
2
1
4
3
2
6
5
4
1
3
2
6
5
4
1
3
2
6
5
1A
2A
1C
1E
1G
3A
2C
3C
2E
3E
2G
3G
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| PSMN5R6-100PS127 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 100V 100A 3-TO-220AB |
| PSMN5R6-100XS | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N-CH, 100V, 61.8A, TO220F 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N-CH, 100V, 61.8A, TO220F; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:61.8A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0043ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V ;RoHS Compliant: Yes |
| PSMN5R6-100XS,127 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 5.6 MOHMS STD LVL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PSMN5R6-60YLX | 功能描述:MOSFET N-CH 60V LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:66.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5026pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:167W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.6 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 |
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