型號(hào): | PSMN4R1-30YLC |
元件分類: | 開關(guān) |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件頁數(shù): | 5/7頁 |
文件大小: | 525K |
代理商: | PSMN4R1-30YLC |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
PSMN4R3-100ES | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
PSMN4R3-100PS | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
PSMN4R3-30PL | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
PSMN4R3-80ES | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
PSMN4R3-80PS | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
PSMN4R1-30YLC,115 | 功能描述:MOSFET N-Ch 30V 4.35mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
PSMN4R2-30MLDX | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):70A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):29.3nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1795pF @ 15V FET 功能:肖特基二極管(體) 功率耗散(最大值):65W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.3 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引線) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
PSMN4R2-60PL | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel 60 V, 3.9 m?? logic level MOSFET in SOT78 |
PSMN4R2-60PLQ | 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
PSMN4R3-100ES | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel 100 V 4.3 mΩ standard level MOSFET in I2PAK |