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參數(shù)資料
| 型號： | PSMN4R0-40YS |
| 元件分類： | 開關(guān) |
| 英文描述： | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 525K |
| 代理商： | PSMN4R0-40YS |
A-82
APEM
www.apem.com
12000X778 series
High performance toggle switches - threaded bushing 11,9 (15/32)
Fully sealed - matt black
A
Straight PC terminals - four pole L
Straight PC terminals - three pole L
Straight PC terminals - double pole L
I
II
III
12246 X778
ON
-
ON
I
II
III
12256 X778
ON
-ON
I
II
III
12266 X778
ON
-
ON
PANEL CUT
-OUT
STANDARD HARDWARE
Hex nut
U41
(matt black)
Positions and connections, see next page.
L
Models with straight PC terminals are also available with 3,5 mm (.138) short
terminals, functions 6, 9, 7 and 8
. On request.
Flat
(.681)
(.409)
(.594)
(.
6
2
9
)
(.629)
24
(15/32-32UNS)
EPOXY
(.
1
5
7
)
I
II
III
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10.40
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11.90-32UNS
4
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D
IA
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(.
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1
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0
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.0
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(.059)
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(15/32-32UNS)
11.90-32UNS
(.
2
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D
IA
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II
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2.30
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| PSMN4R0-40YS115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 40V 100A 4-SOT-669 |
| PSMN4R0-60YS,115 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:74A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:56nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3501pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:130W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 |
| PSMN4R1-30YLC | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 30V 90A LFPAK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 90A, LFPAK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 90A, LFPAK, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain C |
| PSMN4R1-30YLC,115 | 功能描述:MOSFET N-Ch 30V 4.35mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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