型號: | PSMN018-80YS |
元件分類: | 開關(guān) |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件頁數(shù): | 3/7頁 |
文件大?。?/td> | 525K |
代理商: | PSMN018-80YS |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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PSMN018-80YS,115 | 功能描述:MOSFET N-CHAN 80V 45A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
PSMN019-100YLX | 功能描述:MOSFET N-CH 100V LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):56A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):72.4nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):5085pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):167W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):18 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
PSMN020-100YS | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 100V 43A SOT669 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 100V, 43A, SOT669 |
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PSMN020-100YS115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 100V 43A 4-SOT-669 |