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參數(shù)資料
| 型號： | PSD913F2 |
| 英文描述： | 200V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-2 package; Similar to IRHNA7260 with optional Total Dose Rating of 300kRads |
| 中文描述： | 可配置的存儲系統(tǒng)級芯片的8位微控制器 |
| 文件頁數(shù)： | 1/94頁 |
| 文件大小： | 463K |
| 代理商： | PSD913F2 |
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PRELIMINARY DATA
January 2002
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.
PSD913F1
Flash In-System Programmable (ISP) Peripherals
For 8-bit MCUs
FEATURES SUMMARY
I
Single Supply Voltage:
– 5 V±10% for PSD913F1
– 3.3 V±10% for PSD913F1-V
I
Up to 1Mbit of Primary Flash Memory (8 uniform
sectors)
I
256Kbit Secondary EEPROM (4 uniform
sectors)
I
Up to 16Kbit SRAM
I
Over 2,000 Gates of PLD: DPLD
I
27 Reconfigurable I/O ports
I
Enhanced JTAG Serial Port
I
Programmable power management
I
High Endurance:
– 100,000 Erase/Write Cycles of Flash Memory
– 10,000 Erase/Write Cycles of EEPROM
– 1,000 Erase/Write Cycles of PLD
Figure 1. Packages
PLCC52 (K)
PQFP52 (T)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| PSD913F2 | Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers(用于8位MCU的可配置存儲器系統(tǒng)) |
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