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參數(shù)資料
| 型號： | PSD835G2-B-20M |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers |
| 中文描述： | 在8片位微控制器可配置存儲系統(tǒng) |
| 文件頁數(shù)： | 31/110頁 |
| 文件大?。?/td> | 570K |
| 代理商： | PSD835G2-B-20M |
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PSD8XX Family
PSD835G2
30
The
PSD835G2
Functional
Blocks
(cont.)
MAIN
FLASH
DPLD
FLASH
BOOT
BLOCK
SRAM
RS0
CSBOOT0-3
FS0-7
CS
CS
CS
OE
OE
RD
PSEN
OE
Figure 7. 80C51 Memory Modes – Separate Space Mode
MAIN
FLASH
DPLD
FLASH
BOOT
BLOCK
SRAM
RS0
CSBOOT0-3
FS0-7
RD
CS
CS
CS
RD
OE
OE
VM REG BIT 2
PSEN
VM REG BIT 0
VM REG BIT 1
VM REG BIT 3
VM REG BIT 4
OE
Figure 8. 80C51 Memory Mode – Combined Space Mode
9.1.3.2 Configuration Modes for MCUs with Separate Program and Data Spaces
9.1.3.2.1 Separate Space Modes
Code memory space is separated from data memory space. For example, the PSEN
signal is used to access the program code from the main Flash Memory, while the RD
signal is used to access data from the secondary Flash memory, SRAM and I/O Ports.
This configuration requires the VM register to be set to 0Ch.
9.1.3.2.2 . Combined Space Modes
The program and data memory spaces are combined into one space that allows the main
Flash Memory, secondary Flash memory, and SRAM to be accessed by either PSEN or
RD. For example, to configure the main Flash memory in combined space mode, bits 2
and 4 of the VM register are set to
“
1
”
.
9.1.3.3 80C51XA Memory Map Example
See Application Notes for examples.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PSD835G2-B-20MI | Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers |
| PSD835G2-B-20U | Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers |
| PSD835G2-B-20UI | Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers |
| PSD835G2-B-70B81 | Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers |
| PSD835G2-B-70B81I | Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PSD835G2V-12UI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 3.0V 4M 120ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| PSD835G2V-90U | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 3.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| PSD853F2-70J | 功能描述:SPLD - 簡單可編程邏輯器件 5.0V 1M 70ns RoHS:否 制造商:Texas Instruments 邏輯系列:TICPAL22V10Z 大電池數(shù)量:10 最大工作頻率:66 MHz 延遲時間:25 ns 工作電源電壓:4.75 V to 5.25 V 電源電流:100 uA 最大工作溫度:+ 75 C 最小工作溫度:0 C 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:DIP-24 |
| PSD853F2-70M | 功能描述:CPLD - 復雜可編程邏輯器件 5.0V 1M 70ns RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲類型:EEPROM 大電池數(shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100 |
| PSD853F2-90J | 功能描述:CPLD - 復雜可編程邏輯器件 5.0V 1M 90ns RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲類型:EEPROM 大電池數(shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100 |
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