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參數(shù)資料
| 型號： | PSD835F1V-90M |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers |
| 中文描述： | 在8片位微控制器可配置存儲系統(tǒng) |
| 文件頁數(shù)： | 86/110頁 |
| 文件大?。?/td> | 570K |
| 代理商： | PSD835F1V-90M |
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PSD835G2
PSD8XX Family
85
-70
-90
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Min
Max
Unit
t
ISCCF
t
ISCCH
t
ISCCL
t
ISCCF-P
t
ISCCH-P
t
ISCCL-P
t
ISCPSU
t
ISCPH
t
ISCPCO
t
ISCPZV
TCK Clock Frequency (except for PLD)
(Note 1)
20
18
MHz
TCK Clock High Time
(Note 1)
23
26
ns
TCK Clock Low Time
(Note 1)
23
26
ns
TCK Clock Frequency (for PLD only)
(Note 2)
2
2
MHz
TCK Clock High Time(for PLD only)
(Note 2)
240
240
ns
TCK Clock Low Time(for PLD only)
(Note 2)
240
240
ns
ISC Port Set Up Time
6
8
ns
ISC Port Hold Up Time
5
5
ns
ISC Port Clock to Output
21
23
ns
ISC Port High-Impedance to Valid Output
21
23
ns
t
ISCPVZ
ISC Port Valid Output to
High-Impedance
21
23
ns
ISC Timing
(5 V ± 10%)
Microcontroller Interface – PSD835G2 AC/DC Parameters
(5V ±10% Versions)
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
Flash Program
8.5
sec
Flash Bulk Erase (Preprogrammed to 00) (Note 1)
3
30
sec
Flash Bulk Erase
10
sec
t
WHQV3
t
WHQV2
t
WHQV1
Sector Erase (Preprogrammed to 00)
1
30
sec
Sector Erase
2.2
sec
Word Program
14
1200
μs
Program/Erase Cycles (Per Sector)
100,000
cycles
t
WHWLO
t
Q7VQV
Sector Erase Time-Out
100
μs
DQ7 Valid to Output Valid
(Data Polling) (Note 2)
30
ns
Flash Program, Write and Erase Times
(5 V ± 10%)
NOTE:
1. Programmed to all zeros before erase.
2. The polling status DQ7 is valid tQ7VQV ns before the data DQ0-7 is valid for reading.
NOTES:
1. For “non-PLD” programming, erase or in ISC by-pass mode.
2. For program or erase PLD only.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PSD835G2-70U | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 5.0V 4M 70ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| PSD835G2-90U | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 5.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| PSD835G2-90UI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 5.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| PSD835G2V-12UI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 3.0V 4M 120ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| PSD835G2V-90U | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 3.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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