參數(shù)資料
型號： FQD7N20L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 200V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V、漏電流為5.5A的邏輯N溝道增強型MOS場效應管)
中文描述： 5.5 A, 200 V, 0.78 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： ROHS COMPLIANT, DPAK-3
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大小： 630K
代理商： FQD7N20L
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, May 2000
Package Dimensions
(Continued)
6.60
±
0.20
0.76
±
0.10
MAX0.96
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
0
±
0
0
±
0
1
±
0
9
±
0
1
±
0
6
±
0
0
±
0
5.34
±
0.20
0.50
±
0.10
0.50
±
0.10
2.30
±
0.20
(0.50)
(0.50)
(4.34)
IPAK
相關PDF資料
PDF描述
FQD7N30 300V N-Channel MOSFET
FQU7N30 300V N-Channel MOSFET
FQD7P06 60V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-60V、漏電流為-5.4A的P溝道增強型MOS場效應管)
FQU7P06 60V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-60V、漏電流為-5.4A的P溝道增強型MOS場效應管)
FQD7P20 200V P-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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FQD7N20LTF 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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FQD7N20TF 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD7N20TM 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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