參數(shù)資料
型號： FQD7N30
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 300V N-Channel MOSFET
中文描述： 5.5 A, 300 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大?。?/td> 758K
代理商： FQD7N30
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相關PDF資料
PDF描述
FQU7N30 300V N-Channel MOSFET
FQD7P06 60V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-60V、漏電流為-5.4A的P溝道增強型MOS場效應管)
FQU7P06 60V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-60V、漏電流為-5.4A的P溝道增強型MOS場效應管)
FQD7P20 200V P-Channel MOSFET
FQU7P20 200V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-200V、漏電流為-5.7A的P溝道增強型MOS場效應管)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FQD7N30TF 功能描述:MOSFET 300V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD7N30TM 功能描述:MOSFET 300V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD7P06 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel MOSFET
FQD7P06TF 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD7P06TM 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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