參數(shù)資料
型號(hào)： PS7341L-1B-E4
廠(chǎng)商： NEC Corp.
英文描述： HIGH ISOLATION VOLTAGE 6-PIN DIP OCMOS FET 1-ch OCMOS FET
中文描述： 高隔離電壓6引腳DIP OCMOS場(chǎng)效應(yīng)1通道OCMOS場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
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代理商： PS7341L-1B-E4
Data Sheet P14229EJ1V0DS00
5
PS7341-1B,PS7341L-1B
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 °C, unless otherwise specified)
f = 1 MHz
I
F
= 0 mA
20
40
60
80
100
120
200
0
150
100
50
OUTPUT CAPACITANCE vs.
APPLIED VOLTAGE
O
o
Applied Voltage V
D
(V)
LOAD CURRENT vs. LOAD VOLTAGE
200
L
L
Load Voltage V
L
(V)
–4.0
–2.0
0
4.0
2.0
–100
–200
100
500
100
0
200
300
400
10
–6
10
–5
10
–4
10
–7
10
–8
T
A
= 80 C
O
L
Applied Voltage V
D
(V)
OFF-STATE LEAKAGE CURRENT vs.
APPLIED VOLTAGE
I
F
= 50 mA
30 mA
20 mA
10 mA
5 mA
1 mA
100
0
–25
25
50
75
1.0
1.4
1.6
1.8
1.2
0.8
F
F
Ambient Temperature T
A
(C)
AMBIENT TEMPERATURE
FORWARD VOLTAGE vs.
100
85
75
50
25
0
–25
20
60
80
100
40
0
M
F
Ambient Temperature T
A
(C)
MAXIMUM FORWARD CURRENT vs.
AMBIENT TEMPERATURE
100
85
75
0
–25
50
25
200
300
100
0
M
L
Ambient Temperature T
A
(C)
MAXIMUM LOAD CURRENT vs.
AMBIENT TEMPERATURE
25 C
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PDF描述
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