SIR164DP-T1-GE3
SI
15+
SOP-8
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英文描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
中文描述:MOSFET 功率 30V 50A 69W 2.5mohm @ 10V
技術(shù)規(guī)格:制造商:Vishay;產(chǎn)品種類:MOSFET 功率;RoHS:是;配置:Single Quad Drain Triple Source;晶體管極性:N-Channel;電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.0025 Ohms;汲極/源極擊穿電壓:30 V;閘/源擊穿電壓:+/- 20 V;漏極連續(xù)電流:33.3 A;功率耗散:5.2 W;最大工作溫度:+ 150 C;安裝風(fēng)格:SMD/SMT;封裝 / 箱體:PowerPAK SO-8;封裝:Reel;下降時間:39 ns;最小工作溫度:- 55 C;上升時間:41 ns;Standard Pack Qty:3000
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