ROHM
RU1E002SPTCL
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RU1E002SPTCL RU1E002SPTCL RU1E002SPTCL
???制造商: ROHM Semiconductor
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-323-3
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 250 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 900 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: -
zui小工作溫度: - 55 C
zui大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 200 mW
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): ROHM Semiconductor
配置: Single
下降時間: 23 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 6 ns
系列: RU1E002SP
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 20 ns
典型接通延遲時間: 4 ns
零件號別名: RU1E002SP
單位重量: 6 mg
電話:13510998172
聯(lián)系人:朱小姐 (女士)
QQ:
郵箱:1351626202@qq.com
地址:振華路100號深紡大廈C座2樓E16
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