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分立半導體產(chǎn)品 PMV45EN2R 晶體管

類型：
晶體管

發(fā)布詢價信息

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產(chǎn)品信息

PMV45EN2R介紹；

描述 MOSFET N-CH 30V SOT23

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

制造商標準提前期 8 周

詳細描述表面貼裝 N 溝道 30V 4.1A（Ta） 510mW（Ta）, 5W（Tc） TO-236AB（SOT23）

類別分立半導體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Nexperia USA Inc.

系列 -

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 4.1A（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 6.3nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 209pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 510mW（Ta）, 5W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 42 毫歐 @ 4.1A，10V

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 TO-236AB（SOT23）

封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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由于其響應速度快，準確性高，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能，包括放大，開關，穩(wěn)壓，信號調(diào)制和振蕩器。晶體管可獨立包裝或在一個非常小的的區(qū)域，可容納一億或更多的晶體管集成電路的一部分。

公司介紹

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