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晶體管 FDS6930B 陣列

類型：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

FDS6930B介紹：

描述 MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 6 周

詳細(xì)描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 900mW Surface Mount 8-SO

類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

制造商 ON Semiconductor

系列 PowerTrench?

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 2 個(gè) N 溝道（雙）

FET 功能邏輯電平門

漏源電壓（Vdss） 30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 5.5A

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 38 毫歐 @ 5.5A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值） 3.8nC @ 5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 412pF @ 15V

功率 - 最大值 900mW

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝 8-SO

雖然數(shù)以百萬(wàn)計(jì)的單體晶體管還在使用，絕大多數(shù)的晶體管是和二極管|-{A|zh-cn:二極管；zh-tw:二極體}-，電阻，電容一起被裝配在微芯片（芯片）上以制造完整的電路。模擬的或數(shù)字的或者這兩者被集成在同一塊芯片上。

公司介紹

安富微（深圳）商貿(mào)有限公司介紹，公司擁有一支“講誠(chéng)信,有耐心，重責(zé)任，細(xì)管理，強(qiáng)服務(wù)，善溝通，靜精業(yè)務(wù)，富創(chuàng)意” 的銷售團(tuán)隊(duì).快速變化的市場(chǎng)環(huán)境中，我們始終秉承著“服務(wù)于客戶，讓利于客戶”的宗旨，現(xiàn)已發(fā)展成為國(guó)內(nèi)知名，國(guó)外馳名的IC混合型電子元器件代理商。