ON SemIConductor NVHL025N65S3 N通道SUPERFET? III
安森美半導(dǎo)體NVHL025N65S3 N通道SUPERFET? III是一款易于驅(qū)動(dòng)的高電壓超級(jí)結(jié) (SJ) MOSFET,采用電荷平衡技術(shù)。該SUPERFET具有出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。NVHL025N65S3 SUPERFET可最大限度地降低導(dǎo)通損耗,具有良好的開關(guān)性能,并可承受極高的dv/dt速率。該SUPERFET可控制EMI問題,并便于實(shí)施設(shè)計(jì)。典型應(yīng)用包括汽車PHEV-BEV直流/直流轉(zhuǎn)換器和用于PHEV-BEV的車載充電器。 FEATURES
良好的開關(guān)性能
承受極高的dv/dt速率
控制EMI問題
便于實(shí)施設(shè)計(jì)
符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)
100%經(jīng)雪崩測(cè)試
無鉛,符合RoHS指令
SPECIFICATIONS
650V漏源擊穿電壓 (BVDSS)(最小值)
25mΩ最大靜態(tài)漏級(jí)-源級(jí)導(dǎo)通電阻 (RDS(on))(10V時(shí))
75A最大漏極電流 (ID)
236nC(典型值)低柵極電荷 (QG)
工作溫度范圍:-55°C至150°C
TO-247-3LD封裝
應(yīng)用
汽車插電式混合動(dòng)力電動(dòng)汽車 (PHEV)-電池電動(dòng)車 (BEV) 直流/直流轉(zhuǎn)換器 用于PHEV-BEV的車載充電器
NVHL025N65S3性能圖
制造商: ON Semiconductor
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 /
箱體: TO-247-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 75 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 25 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V
Qg-柵極電荷: 236 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 595 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標(biāo)名: SuperFET
封裝: Tube
系列: SPM3
晶體管類型: 1 N-Channel
商標(biāo): ON Semiconductor
正向跨導(dǎo) - 最小值: 78.5 S
下降時(shí)間: 107 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 109 ns
工廠包裝數(shù)量: 450
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 120 ns
典型接通延遲時(shí)間: 43.3 ns