IRF640NS

數(shù)據(jù)列表 IRF640N(S,L)PbF;

標(biāo)準(zhǔn)包裝   800

包裝   標(biāo)準(zhǔn)卷帶  

零件狀態(tài) 在售

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

產(chǎn)品族 晶體管 - FET，MOSFET - 單

系列 HEXFET?

規(guī)格

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 200V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 18A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 150 毫歐 @ 11A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 67nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1160pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 150W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 D2PAK

封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

文檔

仿真模型 IRF640NS SpICe Model

IRF640NSPBF Saber Model

IRF640NSPBF Saber Model

IRF640NSPBF Spice Model

其它有關(guān)文件 IR Part Numbering System

PCN 封裝 Barcode Label Update 24/Feb/2017

Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017

Package Drawing Update 19/Aug/2015

Packing Material Update 16/Sep/2016

PCN 組件/產(chǎn)地 Alternate Assembly Site 11/Nov/2013

Warehouse Transfer 29/Jul/2015

PCN 設(shè)計/規(guī)格 Copper Plating Update 31/Aug/2015

Material Chg 24/Nov/2015

Mult Dev No Format/Barcode Label 15/Jan/2019

圖像和媒體

產(chǎn)品相片 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)

特色產(chǎn)品 Data Processing Systems