IGW50N60T

類型：
半導(dǎo)體

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相關(guān)產(chǎn)品

產(chǎn)品信息

產(chǎn)品屬性	屬性值	選擇屬性
制造商:	Infineon
產(chǎn)品種類:	IGBT 晶體管
RoHS:	詳細(xì)信息
技術(shù):	Si
封裝 / 箱體:	TO-247-3
安裝風(fēng)格:	Through Hole
配置:	Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:	600 V
集電極—射極飽和電壓:	1.5 V
柵極/發(fā)射極最大電壓:	- 20 V, + 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流:	90 A
Pd-功率耗散:	333 W
最小工作溫度:	- 40 C
最大工作溫度:	+ 175 C
系列:	TRENCHSTOP IGBT
封裝:	Tube
商標(biāo):	Infineon Technologies
柵極—射極漏泄電流:	100 nA
高度:	20.95 mm
長度:	15.9 mm
產(chǎn)品類型:	IGBT Transistors
	240
子類別:	IGBTs
商標(biāo)名:	TRENCHSTOP
寬度:	5.3 mm
零件號別名:	SP000054926 IGW5N6TXK IGW50N60TFKSA1
單位重量:	38 g

公司介紹

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