IS61WV25616BLL-10TLI
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IS61WV25616BLL-10TLI是一個高速,262144字4194304位靜態(tài)RAM組織由16位。 IS61WV25616BLL-10TLI采用ISSI公司的hgih高性能CMOS技術(shù)。這種高度可靠的過程,再加上創(chuàng)新的ked3_hc&q=52062008_cpr&k=%B5%E7%C2%B7%C9%E8%BC%C6&k0=%B5%E7%C2%B7%C9%E8%BC%C6&kdi0=1&k1=%B9%A4%D2%B5&kdi1=8&k2=cmos&kdi2=8&k3=%C9%E8%B1%B8&kdi3=1&k4=%B5%E7%C6%BD&kdi4=8&sid=152f899f3dca3bcd&ch=0&tu=u1782335&jk=68e43913de1b8c90&cf=29&fv=16&stid=9&urlid=0&luki=1&seller_id=1&di=128" target=_blank mpid="1">電路設(shè)計技術(shù),高性能和低功耗設(shè)備的產(chǎn)量。當(dāng)CE為高電平時(取消選擇),IS61WV25616BLL-10TLI假定功耗CMOS輸入電平可降低待機模式。
IS61WV25616BLL-10TLI的絕對最大額定值:(1)相對于GND端電壓:-0.5V至VDD+0.5 V;(2)VDD到GND-0.3V到4.0V(3)存儲溫度:-65 150℃;(4)功耗:1.0W。
IS61WV25616BLL10TLI功能:(1)高速訪問時間:8,10,20ns的;(2)積極低功率:為85mW;(3)低待機功耗:7MW CMOS待機;(4)單電源供電:2.4至3.6 V,(5)完全靜態(tài)操作:沒有時鐘或刷新;(6)三態(tài)輸出;(7)數(shù)據(jù)控制uppear和低字節(jié)(8)工業(yè)和汽車溫度的支持;(9)無鉛可用。
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