Infineon
SPB80P06PGATMA1
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屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 80 A |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 23 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 4V |
最小柵閾值電壓 | 2.1V |
最大功率耗散 | 340 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | Si |
典型柵極電荷@Vgs | 115 nC @ 10 V |
高度 | 4.57mm |
系列 | SIPMOS |
最高工作溫度 | +175 °C |
長度 | 10.31mm |
寬度 | 9.45mm |
最低工作溫度 | -55 °C |
電話:15624343447
聯(lián)系人:楊女士 (女士)
QQ:
郵箱:yangq@buyelec.net
地址:深圳市龍華區(qū)龍華街道和平路與清泉路交匯處幸福城商務廣場1001房
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