產(chǎn)品信息

StrongIRFET? 功率 MOSFET，Infineon
Infineon 的 StrongIRFE 系列經(jīng)過(guò)優(yōu)化，RDS（接通）低且載流能力高。 此組合提供更高的柵極、雪崩和動(dòng)態(tài) dv/dt 耐受性，特別適用于性能和強(qiáng)健性非常重要的工業(yè)低頻應(yīng)用，包括電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)工具、逆變器和電池管理。

MOSFET 晶體管，Infineon
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)
屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 180 A
最大漏源電壓 40 V
最大漏源電阻值 2.4 mΩ
最大柵閾值電壓 3.9V
最小柵閾值電壓 2.2V
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
通道模式 增強(qiáng)
最大功率耗散 140 W
典型柵極電荷@Vgs 89 nC @ 20 V
高度 6.22mm
最高工作溫度 +175 °C
長(zhǎng)度 6.73mm
正向二極管電壓 1.3V
系列 HEXFET
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 2.39mm
最低工作溫度 -55 °C
　
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公司介紹

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