mosfet功率|

型號/規(guī)格FNK6075品牌/商標(biāo)FNK封裝形式TO-220-3L環(huán)保類別無鉛環(huán)保型安裝方式直插式包裝方式盒帶編帶包裝功率特征中功率 
公司是中國首家研發(fā)成功并上量銷售650V 超結(jié)-MOSFET（SJ-MOSFET）的設(shè)計(jì)公司，目標(biāo)成為客戶全球最具價(jià)值的功率半導(dǎo)體器件與服務(wù)供應(yīng)商。

MOS開關(guān)管損失
    不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會在這個(gè)電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會減小導(dǎo)通損耗?，F(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。

    MOS在導(dǎo)通和截止的時(shí)候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個(gè)下降的過程，流過的電流有一個(gè)上升的過程，在這段時(shí)間內(nèi)，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關(guān)損失。通常開關(guān)損失比導(dǎo)通損失大得多，而且開關(guān)頻率越快，損失也越大。

    導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大?？s短開關(guān)時(shí)間，可以減小每次導(dǎo)通時(shí)的損失；降低開關(guān)頻率，可以減小單位時(shí)間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開關(guān)損失。