IGBT突波吸收電容
雙面金屬化膜內(nèi)串結(jié)構(gòu)、特別的內(nèi)部設(shè)計和端面噴金技術(shù),使電容具低感抗,
多條引線設(shè)計,可承受更高紋波電流,高du/dv以及高過壓能力。
用于各類IGBT緩沖線路突波吸收,各類高頻諧振線路
材料特性
電容結(jié)構(gòu): 雙層金屬化膜,內(nèi)部串聯(lián)結(jié)構(gòu)
封裝: 阻燃塑膠外殼,環(huán)氧樹脂封裝,符合(UL94V-0 )標(biāo)準(zhǔn).
尺寸: 適合于各種IGBT保護(hù) 。(可按客戶需求定制特殊規(guī)格)
電氣特性
電容量: 0.0047 to 6.8μF,參考表格數(shù)據(jù)
額定電壓: 700 to 3000 Vdc
損耗角正切:
Cr≤1.0μF, 4×10-4; Cr>1.0μF, 6×10-4
絕緣電阻: 3000s,s= MΩ. μF
耐電壓: 2Ur (DC)
工作溫度: -40~+
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