參數(shù)資料
型號(hào)： PN5179
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN RF Transistor
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 51K
代理商： PN5179
M
NPN RF Transistor
This device is designed for use in low noise UHF/VHF amplifiers
with collector currents in the 100
μ
A to 30 mA range in common
emitter or common base mode of operation, and in low frequency
drift, high ouput UHF oscillators. Sourced from Process 40.
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES
:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
stg
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
Operating and Storage Junction Temperature Range
12
20
2.5
50
V
V
V
mA
°
C
-55 to +150
MPS5179
MMBT5179
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
Max
Units
PN/MPS5179
350
2.8
357
*MMBT5179
225
1.8
556
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
*
Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
mW
mW/
°
C
°
C/W
R
θ
JA
CBE
TO-92
C
B
E
SOT-23
Mark: 3C
Discrete POWE R & Signal
Technologies
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
PN5179
CEB
TO-92
5179, Rev B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PN5249 TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
PN5249A TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
PN531 Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 7.5 to 7.9; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
PN5432 N-Channel Switch
PN5433 N-Channel Switch
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PN5179_D26Z 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
PN5179_D27Z 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
PN5179_D75Z 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
PN5179_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN5180A0ET/C1,118 功能描述:RFID Transponder IC 13.56MHz ISO 14443, ISO 15693, ISO 18000-3 SPI, UART 2.7 V ~ 5.5 V 64-TFBGA 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:RFID 應(yīng)答器 頻率:13.56MHz 標(biāo)準(zhǔn):ISO 14443，ISO 15693，ISO 18000-3 接口:SPI，UART 電壓 - 電源:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-30°C ~ 85°C 封裝/外殼:64-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:64-TFBGA（5.5x5.5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*