參數(shù)資料
型號(hào)： PN4356
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP General Purpose Amplifier
中文描述： 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 25K
代理商： PN4356
P
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cutoff Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
I
C
= 10 mA, I
B
= 0
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 50 V, I
E
= 0
V
CB
= 50 V, I
E
= 0, T
A
= 75
°
C
V
EB
= 5.0 V, I
C
= 0
V
EB
= 4.0 V, I
C
= 0
80
80
5.0
V
V
V
nA
μ
A
μ
A
nA
50
5.0
10
100
I
EBO
Emitter Cutoff Current
ON CHARACTERISTICS*
h
FE
DC Current Gain
V
CE
= 10 V, I
C
= 100
μ
A
V
CE
= 10 V, I
C
= 1.0 mA
V
CE
= 10 V, I
C
= 10 mA
V
CE
= 10 V, I
C
= 100 mA
V
CE
= 10 V, I
C
= 500 mA
I
C
= 150 mA, I
B
= 15 mA
I
C
= 500 mA, I
B
= 50 mA
I
C
= 150 mA, I
B
= 15 mA
I
C
= 500 mA, I
B
= 50 mA
25
40
50
40
30
250
V
CE(
sat
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.15
0.50
0.90
1.10
V
V
V
V
V
BE(
sat
)
Base-Emitter Saturation Voltage
C
ob
C
ib
h
fe
Output Capacitance
Input Capacitance
Small-Signal Current Gain
V
CB
= 10 V, f = 1.0 MHz
V
EB
= 0.5 V, f = 1.0 MHz
I
C
= 50 mA, V
CE
= 10 V,
f = 100 MHz
V
CE
= 10 V, I
C
= 100
μ
A,
R
S
= 1.0 k
, f = 1.0 kHz,
B
W
= 1.0 Hz
30
110
5.0
pF
pF
1.0
NF
Noise Figure
3.0
dB
SWITCHING CHARACTERISTICS
Turn-on Time
Turn-off Time
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
t
on
t
off
V
CC
= 30 V, I
C
= 500 mA,
I
B1
= I
B2
= 50 mA
100
400
ns
ns
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PN4356 Small Signal Transistors
PN4391 N-Channel Switch
PN4391 N-channel silicon field-effect transistors
PN4392 N-channel silicon field-effect transistors
PN4393 N-channel silicon field-effect transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PN4356_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN4356_D27Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN4356_D74Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN4356_J05Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN4356_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*