參數(shù)資料
型號(hào)： PN4141
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN General Purpose Amplifier(NPN通用放大器)
中文描述： 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 25K
代理商： PN4141
P
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CEX
Collector Cutoff Current
I
BL
Base Cutoff Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
I
C
= 10 mA, I
B
= 0
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= 40 V, V
OB
= 3.0 V
V
CE
= 40 V, V
OB
= 3.0 V
30
60
5.0
V
V
V
nA
nA
50
50
ON CHARACTERISTICS*
h
FE
DC Current Gain
V
CE
= 10 V, I
C
= 100
μ
A
V
CE
= 10 V, I
C
= 1.0 mA
V
CE
= 10 V, I
C
= 10 mA
V
CE
= 10 V, I
C
= 150 mA
V
CE
= 10 V, I
C
= 500 mA
V
CE
= 1.0 V, I
C
= 150 mA
I
C
= 150 mA, I
B
= 15 mA
I
C
= 500 mA, I
B
= 50 mA
I
C
= 150 mA, I
B
= 15 mA
I
C
= 500 mA, I
B
= 50 mA
35
50
75
100
30
50
300
V
CE(
sat
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.4
1.6
1.3
2.6
V
V
V
V
V
BE(
sat
)
Base-Emitter Saturation Voltage
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
C
ob
Output Capacitance
h
fe
Small-Signal Current Gain
V
CB
= 10 V, f = 100 kHz
I
C
= 20 mA, V
CE
= 20 V,
f = 100 MHz
8.0
pF
2.5
SWITCHING CHARACTERISTICS
Delay Time
Rise Time
Storage Time
Fall Time
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
t
d
t
r
t
s
t
f
V
CC
= 30 V, I
C
= 150 mA,
I
B1
= 15 mA, V
OB
(off )
= 0.5 V
V
CC
= 30 V, I
C
= 150 mA,
I
B1
= I
B2
= 15 mA
10
40
250
60
ns
ns
ns
ns
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PDF描述
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PN4143_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP General Purpose Amplifier
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