參數(shù)資料
型號(hào)： PN2907A
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： PNP Medium Power Transistor (Switching)
中文描述： 進(jìn)步黨中功率晶體管（開關(guān)）
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 119K
代理商： PN2907A
PN2907A
http://onsemi.com
3
0
0
-16 V
200 ns
50
1.0 k
200
-30 V
TO OSCILLOSCOPE
RISE TIME
≤
5.0 ns
+15 V
-6.0 V
1.0 k
37
50
1N916
1.0 k
200 ns
-30 V
TO OSCILLOSCOPE
RISE TIME
≤
5.0 ns
INPUT
Z
o
= 50
PRF = 150 PPS
RISE TIME
≤
2.0 ns
P.W. < 200 ns
INPUT
Z
o
= 50
PRF = 150 PPS
RISE TIME
≤
2.0 ns
P.W. < 200 ns
Figure 1. Delay and Rise Time Test Circuit
Figure 2. Storage and Fall Time Test Circuit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PN2907A Mini size of Discrete semiconductor elements
PN2907A General Purpose Transistor
PN2907A PNP General Purpose Amplifier
PN2907A PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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PN2907A BULK 制造商:MCC 功能描述:General Purpose PNP Through Hole Transistor TO-92
PN2907A T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP SW 600MA 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN2907A,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW TAPE WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN2907A,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW AMMO WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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