型號: | PN2907A |
廠商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | Small Signal Transistors |
中文描述: | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
封裝: | TO-92, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 1/8頁 |
文件大小: | 119K |
代理商: | PN2907A |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
PN2907A | PNP Medium Power Transistor (Switching) |
PN2907A | Mini size of Discrete semiconductor elements |
PN2907A | General Purpose Transistor |
PN2907A | PNP General Purpose Amplifier |
PN2907A | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
PN2907A AMO | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
PN2907A BULK | 制造商:MCC 功能描述:General Purpose PNP Through Hole Transistor TO-92 |
PN2907A T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP SW 600MA 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
PN2907A,116 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW TAPE WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
PN2907A,126 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW AMMO WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |