參數(shù)資料
型號(hào)： PN2907
英文描述： PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
中文描述： 進(jìn)步黨硅外延平面晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 231K
代理商： PN2907
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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PN2907A PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
PN2907 PNP switching transistor
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PN2907 3/4" CAST CVR, GRAY IRON, FORM 8
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參數(shù)描述
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PN2907_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN2907_D29Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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