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參數(shù)資料
| 型號： | PN202SR |
| 英文描述： | PHOTOTRANSISTOR | DARLINGTON | 800NM PEAK WAVELENGTH | 30M | DOME-3.0 |
| 中文描述： | 光電晶體管|達(dá)林頓| 800NM峰值波長| 3000萬|穹頂- 3.0 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 341K |
| 代理商： | PN202SR |
2
PNZ202S
Darlington Phototransistors
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
Directivity characteristics
P
C
— Ta
120
100
80
60
40
20
Ambient temperature Ta (C )
C
C
0
20
40
60
80
100
0
– 20
I
CE(L)
— V
CE
24
20
16
8
4
12
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
20
16
8
12
4
24
Ta = 25C
T = 2856K
I
CE(L)
— L
10
3
10
2
10
1
Illuminance L (lx)
C
C
10
10
2
10
3
10
–1
1
V
= 10V
Ta = 25C
T = 2856K
Spectral sensitivity characteristics
100
80
60
40
20
Wavelength
λ
(nm)
R
400
600
800
1000
1200
0
200
Ta = 25C
I
CEO
— Ta
10
2
10
–1
10
10
–2
1
Ambient temperature Ta (C )
V
CE
= 10V
D
C
μ
A
10
–3
– 20
0
40
80
20
60
100
V
CE
= 10V
I
CE(L)
— Ta
10
2
1
10
–1
10
–2
10
Ambient temperature Ta (C )
C
C
– 20
0
40
80
20
60
100
10
–3
t
r
— I
CE(L)
10
3
10
2
Collector photo current I
CE(L)
(mA)
R
r
μ
s
10
–1
1
10
10
10
–2
V
= 10V
Ta = 25C
t
f
— I
CE(L)
10
3
10
2
Collector photo current I
CE(L)
(mA)
F
f
μ
s
10
–1
1
10
10
10
–2
V
= 10V
Ta = 25C
20
90
100
80
70
60
50
40
30
R
P
C
= 100mW
L = 30 lx
10 lx
5 lx
1 lx
2 lx
20 lx
R
L
= 1k
500
100
R
L
= 1k
500
100
50
10%
90%
Sig.IN
t
d
t
r
t
f
R
L
V
CC
Sig.
Sig.
50
10%
90%
Sig.IN
t
d
t
r
t
f
R
L
V
CC
Sig.
Sig.
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PDF描述 |
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