型號(hào): | PN200 |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 小信號(hào)晶體管 |
英文描述: | PNP General Purpose Amplifier(PNP通用放大器) |
中文描述: | 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
封裝: | TO-92, 3 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 4/4頁(yè) |
文件大?。?/td> | 51K |
代理商: | PN200 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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PN2222A | NPN General Purpose Amplifier |
PN2222A | NPN switching transistor |
PN2222A | SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR |
PN2222A-AP | SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR |
PN2222A | Small Signal Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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PN200_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP General Purpose Amplifier |
PN200_D26Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
PN200_D27Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
PN200_D74Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
PN200_D75Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |