型號: | PMV48XP |
元件分類: | 開關 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件頁數(shù): | 3/7頁 |
文件大?。?/td> | 525K |
代理商: | PMV48XP |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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PMV56XN | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
PMV60EN | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
PMV65XP | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
PMZ1000UN | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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PMV48XP,215 | 功能描述:MOSFET P-CH -20 V -3.5 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
PMV48XPAR | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.5A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):11nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1000pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):510mW(Ta), 4.15W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):55 毫歐 @ 2.4A,4.5V 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 |
PMV50ENEAR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.9A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):10nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):276pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):510mW(Ta), 3.9W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):43 毫歐 @ 3.9A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 |
PMV50EPEAR | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.2A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):19.2nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):793pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):310mW(Ta), 455mW(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 4.2A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 |
PMV50UPE | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET P CH 20V 4A SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, P CH, 20V, 4A, SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, P CH, 20V, 4A, SOT23, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-3.7A, Drain Source Voltage Vds:-20V, On Resistance Rds(on):0.05ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V, Threshold Voltage Vgs:-600mV, Power , RoHS Compliant: Yes |