型號: | PMN38EN |
元件分類: | 開關(guān) |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件頁數(shù): | 2/7頁 |
文件大小: | 525K |
代理商: | PMN38EN |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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PMN38EN,135 | 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 5.4A 6-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
PMN38EN,165 | 功能描述:MOSFET MOSFET N-CH FET 30V 5.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
P-MN4069UB | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:IC |
PMN40ENEX | 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 30V 5.7A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.7A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):11nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):294pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):530mW(Ta), 4.46W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):38 毫歐 @ 4.5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
PMN40LN | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 30V 5.4A SOT457 |