參數資料
型號： PMEM4020ND
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN transistor/Schottky-diode module
中文描述： 1650 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-74, 6 PIN
文件頁數： 3/11頁
文件大?。?/td> 85K
代理商： PMEM4020ND
2003 Nov 10
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN transistor/Schottky-diode module
PMEM4020ND
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 60134).
Notes
1.
2.
Device mounted on a FR4 printed-circuit board; single-sided copper; tinplated; standard footprint for SOT457.
Device mounted on a FR4 printed-circuit board; single-sided copper; tinplated; mounting pads for collector and
cathode both 1 cm
2
.
Device mounted on a ceramic printed-circuit board, single-sided copper; tinplated; standard footprint.
Solder point of collector or cathode tab.
3.
4.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
NPN transistor
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
open emitter
open base
open collector
note 1
note 2
note 3
T
s
≤
55
°
C; note 4
40
40
5
0.95
1.30
1.65
2.0
3
1
295
400
500
1000
150
V
V
V
A
A
A
A
A
A
mW
mW
mW
mW
°
C
I
CM
I
BM
P
tot
peak collector current
peak base current
total power dissipation
T
amb
≤
25
°
C; note 1
T
amb
≤
25
°
C; note 2
T
amb
≤
25
°
C; note 3
T
s
≤
55
°
C; note 4
T
j
Schottky barrier diode
junction temperature
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
continuous reverse voltage
continuous forward current
non-repetitive peak forward current
total power dissipation
20
1
5
295
400
500
1000
150
V
A
A
mW
mW
mW
mW
°
C
t = 8.3 ms square wave
T
amb
≤
25
°
C; note 1
T
amb
≤
25
°
C; note 2
T
amb
≤
25
°
C; note 3
T
s
≤
55
°
C; note 4
note 2
T
j
Combined device
junction temperature
P
tot
T
stg
T
amb
total power dissipation
storage temperature
operating ambient temperature
T
amb
= 25
°
C; note 2
65
65
600
+150
+150
mW
°
C
°
C
note 2
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PDF描述
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PMEPGUSERGUIDE PM EPG User Guide
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參數描述
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