參數(shù)資料
型號(hào)： PMEGXX10BEV
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： 1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifier
中文描述： 1安很低正向壓降MEGA肖特基勢(shì)壘整流器
文件頁(yè)數(shù)： 9/11頁(yè)
文件大小： 85K
代理商： PMEGXX10BEV
2004 Jun 14
9
Philips Semiconductors
Product specification
1 A very low V
F
MEGA Schottky
barrier rectifier
PMEGXX10BEA;
PMEGXX10BEV
UNIT
b
p
c
D
E
e
1
H
E
L
p
w
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
01-01-04
01-08-27
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
0.27
0.17
0.18
0.08
1.7
1.5
1.3
1.1
0.5
e
1.0
1.7
1.5
0.1
y
0.1
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.3
0.1
SOT666
bp
pin 1 index
D
e1
e
A
Lp
detail X
HE
E
A
S
0
1
2 mm
scale
A
0.6
0.5
c
X
1
2
3
4
5
6
Plastic surface mounted package; 6 leads
SOT666
Y S
w
M
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PMEGXX10EH 1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers
PMEGXX10EJ 1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers
PMEM4010PD PNP transistor/Schottky diode module
PMEM4020ND NPN transistor/Schottky-diode module
PMEM4020PD PNP transistor/Schottky-diode module
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參數(shù)描述
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PMEM1505NG T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT DIODE/TRANS MODULE TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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