參數(shù)資料
型號(hào)： PMD5003K
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Low VCEsat (BISS) transistors
中文描述： 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封裝： PLASTIC, SMD, SC-59A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 641K
代理商： PMD5003K
8
Integrated discrete MOSFET drivers combine several discrete products into one package to offer MOSFET
driving functionality. With a choice of configurations Philips offers solutions to take load from the driving circuit,
improve the efficiency of the MOSFET and enable design flexibility.
Key features
- Complete MOSFET driving functionality in
one package
- Several configurations available
MOSFET drivers
Key benefits
- Improved MOSFET efficiency by
Minimizing rise and fall time
Fast gate (dis-)charge of the driven
MOSFET
- Takes load from the driving circuit
and thus minimizes the IC power dissipation
- More design flexibility: the control IC and
the MOSFET do not have to be placed as
close as possible anymore
- Cost-effective alternative to IC-solutions
Key applications
- MOSFET driver
- Bipolar power transistor driver
- Push-pull driver
SOT457 (SC-74)
SOT346 (SC-59A)
SOT457 (SC-74)
SOT457 (SC-74)
Configuration
bra837
Tr1
Tr3
D1
Tr2
1
6
4
5
2
3
bra838
250 mW
3
1
2
Tr1
D1
bra83
9
3
1
2
D1
Tr1
D1
R2
R1
Rext
Tr2
Tr1
6
1
2
4, 5
3
bra840
Tr1
Tr2
4
1
2, 3
5, 6
bra841
P
tot
max.
Contains
600 mW
600 mW
600 mW
I
C
(A)
I
CM
(A)
PMD9050D
PMD4001K (NPN)
PMD5001K (PNP)
PMD4002K (NPN)
PMD5002K (PNP)
R1 = R2 (k
Ω
)
-
2.2
4.7
10
PMD9010D
PMD9001D
PMD9002D
PMD9003D
PMD2001D
General purpose transistors
0.1
0.2
Switching transistors -
reduced storage time
Low V
CEsat
(BISS) transistors -
Low V
CEsat
, high h
FE
and I
C
0.6
1.2
1.0
2.0
PMD4003K (NPN)
PMD5003K (PNP)
PMD3001D
Release mid 2006
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PMEH2010AEH Low VCEsat (BISS) transistors
PME264 EMI suppressor, class X2, metallized paper
PME264NB4100MR30 EMI suppressor, class X2, metallized paper
PME264NB4150MR30 EMI suppressor, class X2, metallized paper
PME264NB4220MR30 EMI suppressor, class X2, metallized paper
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PMD5003K T/R 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC MOSFET DRIVER TAPE 7 RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
PMD5003K,115 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC MOSFET DRIVER TAPE 7 RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
PMD5118OWP 功能描述:DC/DC轉(zhuǎn)換器 2.25A Non-Isolated Input 4.5-14V 12.4W RoHS:否 制造商:Murata 產(chǎn)品: 輸出功率: 輸入電壓范圍:3.6 V to 5.5 V 輸入電壓（標(biāo)稱）: 輸出端數(shù)量:1 輸出電壓（通道 1）:3.3 V 輸出電流（通道 1）:600 mA 輸出電壓（通道 2）: 輸出電流（通道 2）: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體尺寸:
PMD5118OWS 功能描述:DC/DC轉(zhuǎn)換器 0 Vdc 2.25A Iso Input 4.5-14V 12.4W RoHS:否 制造商:Murata 產(chǎn)品: 輸出功率: 輸入電壓范圍:3.6 V to 5.5 V 輸入電壓（標(biāo)稱）: 輸出端數(shù)量:1 輸出電壓（通道 1）:3.3 V 輸出電流（通道 1）:600 mA 輸出電壓（通道 2）: 輸出電流（通道 2）: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體尺寸:
PMD5118OWSR 功能描述:DC/DC轉(zhuǎn)換器 2.25A Non-Isolated Input 4.5-14V 12.4W RoHS:否 制造商:Murata 產(chǎn)品: 輸出功率: 輸入電壓范圍:3.6 V to 5.5 V 輸入電壓（標(biāo)稱）: 輸出端數(shù)量:1 輸出電壓（通道 1）:3.3 V 輸出電流（通道 1）:600 mA 輸出電壓（通道 2）: 輸出電流（通道 2）: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體尺寸:
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