參數(shù)資料
型號: PM75CTK060
廠商: Mitsubishi Electric Corporation
英文描述: FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE
中文描述: 平性基地型絕緣包裝
文件頁數(shù): 6/6頁
文件大?。?/td> 142K
代理商: PM75CTK060
Aug.1999
MITSUBISHI INTELLIGNET POWER MODULES
PM75CTK060
FLAT-BASE TYPE
INSULATED PACKAGE
10
1
10
–3
10
0
7
5
3
2
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7
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3
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–1
7
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3
2
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5
3
2
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–3
2 3 57
10
–2
2 3 57
10
–1
2 3 57
10
0
2 3 57
10
1
Single Pulse
R
th(j – c)Q
= 0.93
°
C/W
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–3
10
0
7
5
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2
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7
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–2
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–1
2 3 57
10
0
2 3 57
10
1
Single Pulse
R
th(j – c)F
= 0.91
°
C/W
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(IGBT per 1 element)
N
T
t
TIME (s)
N
T
t
TIME (s)
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(FWDi per 1 element)
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PDF描述
PM75CVA120 FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE
PM75CVA120 Intellimod⑩ Module Three Phase IGBT Inverter Output (75 Amperes/1200 Volts)
PM75DSA120 FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE
PM75DSA120 Intellimod⑩ Module Single Phase IGBT Inverter Output (75 Amperes/1200 Volts)
PM75RSA060 FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE
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參數(shù)描述
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PM75CVA120_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE
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PM75DSA120 功能描述:MOD IPM 3PHASE IGB HF 1200V 75A RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> 功率驅(qū)動器 系列:Intellimod™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:15 系列:SPM® 類型:FET 配置:三相反相器 電流:1.8A 電壓:500V 電壓 - 隔離:1500Vrms 封裝/外殼:23-DIP 模塊
PM75RHA060 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 75A I(C)