參數(shù)資料
型號： PM6670TR
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 穩(wěn)壓器
英文描述： 1.4 A SWITCHING CONTROLLER, QCC24
封裝： 4 X 4 MM, LEAD FREE, VFQFN-24
文件頁數(shù)： 3/55頁
文件大?。?/td> 849K
代理商： PM6670TR
PM6670
Electrical characteristics
11/53
Symbol
Parameter
Test condition
Values
Unit
Min
Typ
Max
Soft end section
VDDQ Discharge resistance
in non-tracking discharge
mode
15
25
35
VTT discharge resistance in
non-tracking discharge mode
15
25
35
VTTREF discharge
resistance in non-tracking
discharge mode
11.5
2
k
VDDQ Output threshold
synchronous for final tracking
to non-tracking discharge
transition
0.2
0.4
0.6
V
VTT LDO section
ILDOIN,ON
LDO input bias current in
full-on state
S3 = S5 = +5V, No Load on VTT
1
10
A
ILDOIN,
STR
LDO input bias current in
suspend-to-RAM state
S3 = 0V, S5 = +5V,
No Load on VTT
10
ILDOIN,
STD
LDO input bias current in
suspend-to-disk state
S3 = S5 = 0V, No Load on VTT
1
IVTTSNS,
BIAS
VTTSNS bias current
S3 = +5V, S5 = +5V,
VVTTSNS = VVSNS /2
1
IVTTSNS,
LEAK
VTTSNS leakage current
S3 = 0V, S5 = +5V,
VVTTSNS = VVSNS /2
1
IVTT,LEAK VTT leakage current
S3 = 0V, S5 = +5V,
VVTT = VVSNS /2
-10
10
VVTT
LDO linear regulator output
voltage (DDR2)
S3 = S5= +5V, IVTT = 0A,
MODE = DDRSEL = +5V
0.9
V
LDO linear regulator output
voltage (DDR3)
S3 = S5= +5V, IVTT = 0A,
MODE = +5V, DDRSEL = 0V
0.75
LDO output accuracy respect
to VTTREF
S3 = S5 = MODE = + 5V,
-1mA < IVTT < 1mA
-20
20
mV
S3 = S5 = MODE = +5V,
-1A < IVTT < 1A
-25
25
S3 = S5 = MODE = +5V,
-2A < IVTT < 2A
-35
35
IVTT,CL
LDO source current limit
VVTT < 1.10*( VVSNS /2)
22.3
2.8
A
VVTT > 1.10*( VVSNS /2)
1
1.15
1.4
LDO sink current limit
VVTT > 0.90*( VVSNS /2)
-2.8
-2.3
-2
VVTT < 0.90*( VVSNS /2)
-1.4
-1.15
-1
Table 6. Electrical characteristics (continued)
相關PDF資料
PDF描述
PM6670ATR 1.4 A SWITCHING CONTROLLER, QCC24
PM6670 1.4 A SWITCHING CONTROLLER, QCC24
PM6675ASTR 3 A SWITCHING CONTROLLER, QCC24
PM6675AS 3 A SWITCHING CONTROLLER, QCC24
PM6675ATR SWITCHING CONTROLLER, QCC24
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參數(shù)描述
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