參數(shù)資料
型號： PM50RSA120
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE
中文描述： 平性基地型絕緣包裝
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 84K
代理商： PM50RSA120
Sep.1998
Electrical and Mechanical Characteristics, T
j
= 25
°
C unless otherwise specified
Characteristics
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
IGBT Inverter Sector
Collector Cutoff Current
I
CES
V
CE
= V
CES
, T
j
= 25
°
C
V
CE
= V
CES
, T
j
= 125
°
C
-I
C
= 50A, V
D
= 15V, V
CIN
= 5V
V
D
= 15V, V
CIN
= 0V, I
C
= 50A
V
D
= 15V, V
CIN
= 0V, I
C
= 50A,
T
j
= 125
°
C
—
—
1.0
mA
—
—
10
mA
Emitter-Collector Voltage
V
EC
V
CE(sat)
—
2.5
3.5
Volts
Collector-Emitter Saturation Voltage
—
2.5
3.5
Volts
—
2.2
3.2
Volts
Inductive Load Switching Times
t
on
t
rr
t
C(on)
t
off
t
C(off)
0.5
1.0
2.5
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
V
D
= 15V, V
CIN
= 0
15V
V
CC
= 600V, I
C
= 50A
T
j
= 125
°
C
—
0.15
0.3
—
0.4
1.0
—
2.0
3.0
—
0.7
1.2
Brake Sector
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
CE(sat)
V
D
= 15V, V
CIN
= 0V, I
C
= 15A,
T
j
= 25
°
C
V
D
= 15V, V
CIN
= 0V, I
C
= 15A,
T
j
= 125
°
C
-I
C
= 15A, V
D
= 15V, V
CIN
= 5V
V
CE
= V
CES
, T
j
= 25
°
C
V
CE
= V
CES
, T
j
= 125
°
C
—
2.8
3.8
Volts
—
2.2
3.2
Volts
Diode Forward Voltage
V
FM
I
CES
—
2.5
3.5
Volts
Collector Cutoff Current
—
—
1
mA
—
—
10
mA
MITSUBISHI INTELLIGENT POWER MODULES
PM50RSA120
FLAT-BASE TYPE
INSULATED PACKAGE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PM50RSA120 Intellimod⑩ Module Three Phase Brake IGBT Inverter Output (50 Amperes/1200 Volts)
PM600CLA060 INTELLIGENT POWER MODULES FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE
PM600HSA120 CAPACITOR, 0.047UF, 10%, 50VDC, CERAMIC X7R, 0805, SMT
PM600HHA060 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 600A I(C)
PM600DVA060 FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PM50RSD060 功能描述:MOD IPM 7PAC 600V 50A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> 功率驅(qū)動器 系列:Intellimod™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:15 系列:SPM® 類型:FET 配置:三相反相器 電流:1.8A 電壓:500V 電壓 - 隔離:1500Vrms 封裝/外殼:23-DIP 模塊
PM50RSD120 功能描述:MOD IPM 7PAC 1200V 50A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> 功率驅(qū)動器 系列:Intellimod™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:15 系列:SPM® 類型:FET 配置:三相反相器 電流:1.8A 電壓:500V 電壓 - 隔離:1500Vrms 封裝/外殼:23-DIP 模塊
PM50RSE060 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE
PM50RSE060_05 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE
PM50RSE120 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:INTELLIGENT POWER MODULES
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