參數(shù)資料
型號(hào)： PM50RLB120_05
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE
中文描述： 平性基地型絕緣包裝
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 152K
代理商： PM50RLB120_05
MITSUBISHI <INTELLIGENT POWER MODULES>
PM50RLB120
FLAT-BASE TYPE
INSULATED PACKAGE
May 2005
2.3
2.4
3.5
2.5
0.8
1.0
3.0
1.2
1
10
Min.
—
—
—
0.5
—
—
—
—
—
—
Typ.
1.8
1.9
2.5
1.0
0.5
0.4
2.0
0.7
—
—
Max.
Collector-Emitter
Saturation Voltage
FWDi Forward Voltage
Collector-Emitter
Cutoff Current
–
I
C
= 50A, V
D
= 15V, V
CIN
= 15V
(Fig. 2)
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Tj = 25
°
C, unless otherwise noted)
INVERTER PART
Parameter
Symbol
Condition
V
CE(sat)
I
CES
V
EC
t
on
t
rr
t
c(on)
t
off
t
c(off)
Limits
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
Switching Time
V
D
= 15V, V
CIN
= 0V
15V
V
CC
= 600V, I
C
= 50A
T
j
= 125
°
C
Inductive Load
(Fig. 3,4)
V
CE
= V
CES
, V
CIN
= 15V
(Fig. 5)
V
D
= 15V, I
C
= 50A
V
CIN
= 0V
(Fig. 1)
V
mA
V
μ
s
Unit
UP
IGBT
28.3
–
7.7
VP
WP
UN
VN
WN
Br
FWDi
28.4
1.5
IGBT
65.0
–
7.7
FWDi
64.9
1.5
IGBT
87.0
–
7.7
FWDi
86.9
1.5
IGBT
39.3
5.7
FWDi
39.2
–
3.5
IGBT
54.0
5.7
FWDi
54.1
–
3.5
IGBT
76.0
5.7
FWDi
76.1
–
3.5
IGBT
17.9
–
10.5
FWDi
19.3
4.3
arm
axis
X
Y
(Unit : mm)
* If you use this value, R
th(f-a)
should be measured just under the chips.
(Note-1) T
C
(under the chip) measurement point is below.
Bottom view
0.26*
0.39*
0.36*
0.60*
0.038
°
C/W
R
th(j-c)Q
R
th(j-c)F
R
th(j-c)Q
R
th(j-c)F
R
th(c-f)
Inverter IGBT (per 1 element)
Inverter FWDi (per 1 element)
Brake IGBT
Brake FWDi
Case to fin, (per 1 module)
Thermal grease applied
(Note-1)
(Note-1)
(Note-1)
(Note-1)
(Note-1)
Symbol
Condition
Unit
Min.
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Junction to case Thermal
Resistances
THERMAL RESISTANCES
Contact Thermal Resistance
Parameter
Limits
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Supply Voltage Protected by
SC
Supply Voltage (Surge)
Storage Temperature
Isolation Voltage
Condition
V
CC(surge)
T
stg
V
iso
Ratings
V
CC(PROT)
800
1000
–
40 ~ +125
2500
Unit
V
°
C
V
rms
V
V
D
= 13.5 ~ 16.5V, Inverter Part,
T
j
= +125
°
C Start
Applied between : P-N, Surge value
60Hz, Sinusoidal, Charged part to Base, AC 1 min.
TOTAL SYSTEM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PM50RLB120 FLAT-BASE TYPE INTELLIGENT POWER MODULES
PM50RSA060 FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE
PM50RSA060 Intellimod⑩ Module Three Phase Brake IGBT Inverter Output (50 Amperes/600 Volts)
PM50RSA120 FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE
PM50RSA120 Intellimod⑩ Module Three Phase Brake IGBT Inverter Output (50 Amperes/1200 Volts)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PM50RSA060 功能描述:MOD IPM 7PAC 600V 50A RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> 功率驅(qū)動(dòng)器 系列:Intellimod™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:15 系列:SPM® 類型:FET 配置:三相反相器 電流:1.8A 電壓:500V 電壓 - 隔離:1500Vrms 封裝/外殼:23-DIP 模塊
PM50RSA120 功能描述:MOD IPM 7PAC 1200V 50A RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> 功率驅(qū)動(dòng)器 系列:Intellimod™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:15 系列:SPM® 類型:FET 配置:三相反相器 電流:1.8A 電壓:500V 電壓 - 隔離:1500Vrms 封裝/外殼:23-DIP 模塊
PM50RSD060 功能描述:MOD IPM 7PAC 600V 50A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> 功率驅(qū)動(dòng)器 系列:Intellimod™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:15 系列:SPM® 類型:FET 配置:三相反相器 電流:1.8A 電壓:500V 電壓 - 隔離:1500Vrms 封裝/外殼:23-DIP 模塊
PM50RSD120 功能描述:MOD IPM 7PAC 1200V 50A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> 功率驅(qū)動(dòng)器 系列:Intellimod™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:15 系列:SPM® 類型:FET 配置:三相反相器 電流:1.8A 電壓:500V 電壓 - 隔離:1500Vrms 封裝/外殼:23-DIP 模塊
PM50RSE060 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE
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